SIA913ADJ datasheet, аналоги, параметры транзистора

SIA913ADJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA913ADJ 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SIA913ADJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIA913ADJ даташит

..1. Size:192K vishay
sia913adj.pdf pdf_icon

New Product SiA913ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.061 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.081 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.5a 8.2 nC SC-70 Package 0.115 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint

6.1. Size:190K vishay
sia913ad.pdf pdf_icon

8.1. Size:96K vishay
sia913dj.pdf pdf_icon

New Product SiA913DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.070 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.100 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.5a 5 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.140 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5a

9.1. Size:280K vishay
sia914adj.pdf pdf_icon

SiA914ADJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.043 at VGS = 4.5 V 4.5 SC-70 Package 0.045 at VGS = 3.7 V 4.5 - Small Footprint Area 20 3.5 nC 0.050 at VGS = 2.5 V 4.5 - Low On-Resistance 0.063 at VGS = 1.8 V 4