SIB411DK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIB411DK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
Аналог (замена) для SIB411DK
SIB411DK Datasheet (PDF)
sib411dk.pdf

SiB411DKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.066 at VGS = - 4.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.094 at VGS = - 2.5 V - 20- 9a 6 nC COMPLIANTSC-75 Package0.130 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 9a- Low On-ResistanceAPPLI
sib412dk.pdf

New ProductSiB412DKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.040 at VGS = 2.5 V 209a 6.14 nCCOMPLIANTSC-75 Package0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area9a- Low On-ResistanceA
sib414dk.pdf

New ProductSiB414DKVishay SiliconixN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT9aSC-75 Package- Small Footprint Area0.037 at VGS = 1.8 V 89a 8.6 nC- Low On-Resistance0.
sib413dk.pdf

New ProductSiB413DKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS- 20 4.56 nC0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANTSC-75 Package- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load Switch, PA Switc
Другие MOSFET... SIA923EDJ , SIA929DJ , SIA931DJ , SIA975DJ , SIB404DK , SIB406EDK , SIB408DK , SIB410DK , AON6414A , SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK , SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK , SIB417EDK , SIB419DK .
History: VBE2102M | 2SK1094 | OSG80R380HF | QM3018D
History: VBE2102M | 2SK1094 | OSG80R380HF | QM3018D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884