SIB413DK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB413DK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB413DK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB413DK даташит

 ..1. Size:223K  vishay
sib413dk.pdfpdf_icon

SIB413DK

New Product SiB413DK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 4.56 nC 0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANT SC-75 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS Load Switch, PA Switc

 9.1. Size:223K  vishay
sib412dk.pdfpdf_icon

SIB413DK

New Product SiB412DK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.040 at VGS = 2.5 V 20 9a 6.14 nC COMPLIANT SC-75 Package 0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 9a - Low On-Resistance A

 9.2. Size:224K  vishay
sib414dk.pdfpdf_icon

SIB413DK

New Product SiB414DK Vishay Siliconix N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT 9a SC-75 Package - Small Footprint Area 0.037 at VGS = 1.8 V 8 9a 8.6 nC - Low On-Resistance 0.

 9.3. Size:218K  vishay
sib417aedk.pdfpdf_icon

SIB413DK

SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG

Другие IGBT... SIA931DJ, SIA975DJ, SIB404DK, SIB406EDK, SIB408DK, SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK, 10N60, SIB414DK, SIB415DK, SIB417AEDK, SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK