Справочник MOSFET. SIB419DK

 

SIB419DK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB419DK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB419DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  vishay
sib419dk.pdfpdf_icon

SIB419DK

New ProductSiB419DKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.082 at VGS = - 2.5 V - 9 7.15 nC- 12 COMPLIANTSC-75 Package0.114 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footprint AreaAPPLICATIONS

 9.1. Size:223K  vishay
sib412dk.pdfpdf_icon

SIB419DK

New ProductSiB412DKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.040 at VGS = 2.5 V 209a 6.14 nCCOMPLIANTSC-75 Package0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area9a- Low On-ResistanceA

 9.2. Size:224K  vishay
sib414dk.pdfpdf_icon

SIB419DK

New ProductSiB414DKVishay SiliconixN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT9aSC-75 Package- Small Footprint Area0.037 at VGS = 1.8 V 89a 8.6 nC- Low On-Resistance0.

 9.3. Size:223K  vishay
sib413dk.pdfpdf_icon

SIB419DK

New ProductSiB413DKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS- 20 4.56 nC0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANTSC-75 Package- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load Switch, PA Switc

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SMK0260F | IRHLG77110 | AMS4004 | PJF2NA70 | NTR0202PLT1 | QM6001D | RF1S9540

 

 
Back to Top

 


 
.