SIE810DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIE810DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: POLARPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIE810DF Datasheet (PDF)
sie810df.pdf

SiE810DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0014 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-236 60Sided Cooling0.0016 at VGS =
sie812df.pdf

SiE812DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0026 at VGS = 10 V 163 60Cooling40 52 nC
sie818df.pdf

SiE818DFVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinition TrenchFET Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0095 at VGS = 10 V 79 6075 33 nC Sided Cooling0.0125 at VGS
sie816df.pdf

New ProductSiE816DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0074 at VGS = 10 V 60 95 60 51 nCSided Cooling
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AOD607 | BSC032N03SG | AP4835GM-HF | BF964S | STF25N60M2-EP | 12N65H | MSJAC11N65Y
History: AOD607 | BSC032N03SG | AP4835GM-HF | BF964S | STF25N60M2-EP | 12N65H | MSJAC11N65Y



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet