Справочник MOSFET. SIE860DF

 

SIE860DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIE860DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK

 Аналог (замена) для SIE860DF

 

 

SIE860DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 sie860df.pdf

SIE860DF SIE860DF

New ProductSiE860DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0021 at VGS = 10 V 17860aExposed PolarPAK Package for Double-30 34 nCSid

 9.1. Size:131K  vishay
 sie864df.pdf

SIE860DF SIE860DF

New ProductSiE864DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 11.9 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0073 at VGS = 4.5 V 45Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

 9.2. Size:201K  vishay
 sie868df.pdf

SIE860DF SIE860DF

New ProductSiE868DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using 0.0023 at VGS = 10 V Top-Exposed PolarPAK Package for 169 6040 45 nCDouble-Side

 9.3. Size:204K  vishay
 sie862df.pdf

SIE860DF SIE860DF

New ProductSiE862DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen III Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0032 at VGS = 10 V 134 50Double-Sided Cooling

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top