SIHA25N50E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHA25N50E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHA25N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHA25N50E даташит

 ..1. Size:164K  vishay
 siha25n50e.pdf pdf_icon

SIHA25N50E

SiHA25N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction losses Qg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 14 Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS) Config

 9.1. Size:104K  vishay
 siha22n60ael.pdf pdf_icon

SIHA25N50E

SiHA22N60AEL www.vishay.com Vishay Siliconix EL Series Power MOSFET FEATURES D Thin-Lead TO-220 FULLPAK Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization for definitions of compliance S please see www.vishay.com/doc?999

 9.2. Size:155K  vishay
 siha21n60ef.pdf pdf_icon

SIHA25N50E

SiHA21N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES D Thin-Lead TO-220 FULLPAK Fast body diode MOSFET using E series technology Reduced trr, Qrr, and IRRM Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg G Low input capacitance (Ciss) Available Increased robustness due to low Qrr Ultra low gate charge (Qg) Avalanche en

 9.3. Size:171K  vishay
 siha22n60e.pdf pdf_icon

SIHA25N50E

SiHA22N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 86 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 24

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIE878DF, SIE882DF, SIHA12N50E, SIHA12N60E, SIHA15N50E, SIHA15N60E, SIHA20N50E, SIHA22N60E, K4145, SIHB10N40D, SIHB12N50C, SIHB12N50E, SIHB12N60E, SIHB12N65E, SIHB15N50E, SIHB15N60E, SIHB15N65E