Справочник MOSFET. SIHB12N65E

 

SIHB12N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHB12N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHB12N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHB12N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  vishay
 sihb12n65e.pdf pdf_icon

SIHB12N65E

SiHB12N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 16 M

 6.1. Size:202K  vishay
 sihb12n60e.pdf pdf_icon

SIHB12N65E

SiHB12N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 58 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 13

 7.1. Size:200K  vishay
 sihb12n50e.pdf pdf_icon

SIHB12N65E

SiHB12N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.380 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 50 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 10 Materi

 7.2. Size:154K  vishay
 sihp12n50c sihb12n50c sihf12n50c.pdf pdf_icon

SIHB12N65E

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 VRDS(on) ()VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 48 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 12 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 15Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB TO-220 FULLPAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHA15N60E , SIHA20N50E , SIHA22N60E , SIHA25N50E , SIHB10N40D , SIHB12N50C , SIHB12N50E , SIHB12N60E , AO3401 , SIHB15N50E , SIHB15N60E , SIHB15N65E , SIHB16N50C , SIHB20N50E , SIHB22N60E , SIHB22N60S , SIHB22N65E .

History: FDC637AN | FDME910PZT

 

 
Back to Top

 


 
.