SIHB15N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHB15N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHB15N60E
SIHB15N60E Datasheet (PDF)
sihb15n60e.pdf

SiHB15N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.28 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 76 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 11 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 17
sihb15n65e.pdf

SiHB15N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 21
sihb15n50e.pdf

SiHB15N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.243 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14 Materi
sihb10n40d.pdf

SiHB10N40Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 450- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 30- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 4- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 7- Avalanche Energy Rated (UIS)Con
Другие MOSFET... SIHA22N60E , SIHA25N50E , SIHB10N40D , SIHB12N50C , SIHB12N50E , SIHB12N60E , SIHB12N65E , SIHB15N50E , RU6888R , SIHB15N65E , SIHB16N50C , SIHB20N50E , SIHB22N60E , SIHB22N60S , SIHB22N65E , SIHB23N60E , SIHB24N65E .
History: NCEP031N85M | IRFPS30N60KPBF | SFP090N120C2 | H5N2508DS | SKI04024 | SFG08S06DF
History: NCEP031N85M | IRFPS30N60KPBF | SFP090N120C2 | H5N2508DS | SKI04024 | SFG08S06DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947