IRL3303S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL3303S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRL3303S
IRL3303S Datasheet (PDF)
irl3303lpbf irl3303spbf.pdf

PD - 95578IRL3303LPbFIRL3303SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRL3303S)VDSS = 30Vl Low-profile through-hole (IRL3303L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 38Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutili
irl3303s irl3303l.pdf

PD - 9.1323BIRL3303S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V Surface Mount (IRL3303S) Low-profile through-hole (IRL3303L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques
irl3303.pdf

PD - 9.1322BIRL3303HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan
irl3303pbf.pdf

PD - 94887IRL3303PbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 112/11/03IRL3303PbF2 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 3IRL3303PbF4 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 5IRL3303PbF6 www.irf.comIRL3303PbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout ConsiderationsD.U.T Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance
Другие MOSFET... IRL3103S , IRL3202 , IRL3202S , IRL3215 , IRL3302 , IRL3302S , IRL3303 , IRL3303L , 8205A , IRL3402 , IRL3402S , IRL3502 , IRL3502S , IRL3705N , IRL3705NL , IRL3705NS , IRL3803 .
History: APT1001R1AN | FDD4N60NZ | ZDM4206N
History: APT1001R1AN | FDD4N60NZ | ZDM4206N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor