Справочник MOSFET. IRF7410GPBF

 

IRF7410GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7410GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 91 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7410GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7410GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  international rectifier
 irf7410gpbf.pdf pdf_icon

IRF7410GPBF

PD - 96247IRF7410GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-Freel Halogen-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing

 7.1. Size:195K  international rectifier
 irf7410pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7410GPBF

IRF7410TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -12 VA1 8S DRDS(on) max 72 7(@V = -4.5V) DGS SRDS(on) max 3 6S9 m D(@V = -2.5V)GS4 5G DRDS(on) max 13(@V = -1.8V)GSSO-8Top ViewQg (typical) 91 nCID -16 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount T

 7.2. Size:102K  international rectifier
 irf7410.pdf pdf_icon

IRF7410GPBF

PD - 94025IRF7410HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16A Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6A Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the extrem

 7.3. Size:210K  international rectifier
 irf7410pbf.pdf pdf_icon

IRF7410GPBF

PD - 96028BIRF7410PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FQB55N06TM | IRC6305

 

 
Back to Top

 


 
.