IRF7413ZPBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7413ZPBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7413ZPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7413ZPBF даташит
irf7413zpbf.pdf
PD - 95335D IRF7413ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Control FET for Notebook Processor 10m @VGS = 10V Power 30V 13A l Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL A Converters in Computing, Networking A 1 8 S D and Telecommunication Systems 2 7 S D 3 6 S D Benefits 4 5 G D l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Very Low RDS
irf7413zgpbf.pdf
PD - 96249 IRF7413ZGPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Control FET for Notebook Processor 10m @VGS = 10V Power 30V 13A l Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL A Converters in Computing, Networking A 1 8 S D and Telecommunication Systems 2 7 S D 3 6 S D Benefits 4 5 l Ultra-Low Gate Impedance G D l Very Low RDS(on)
irf7413.pdf
PD- 91330F IRF7413 SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max(mW) ID Applications l High frequency DC-DC converters 30V 11@VGS = 10V 12A Benefits A A l Low Gate to Drain Charge to Reduce 1 8 S D Switching Losses 2 7 S D l Fully Characterized Capacitance Including 3 6 S Effective COSS to Simplify Design, (See D App. Note AN1001) 4 5 G D l Fully Characterized Avalan
irf7413pbf.pdf
PD - 95017C IRF7413PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance A A 1 8 l N-Channel Mosfet S D l Surface Mount 2 7 S D VDSS = 30V l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating 3 6 S D l Fast Switching 4 5 G D l 100% RG Tested RDS(on) = 0.011 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier util
Другие IGBT... IRF7410GPBF, IRF7410PBF-1, IRF7410PBF, IRF7413GPBF, IRF7413PBF, IRF7413PBF-1, IRF7413QPBF, IRF7413ZGPBF, IRF9540N, IRF7416GPBF, IRF7416PBF, IRF7416PBF-1, IRF7416QPBF, IRF7420PBF, IRF7420PBF-1, IRF7421D1PBF, IRF7422D2PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06










