Справочник MOSFET. IRF7416GPBF

 

IRF7416GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7416GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7416GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  international rectifier
irf7416gpbf.pdfpdf_icon

IRF7416GPBF

PD - 96252AIRF7416GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MosfetVDSS = -30Vl Surface Mount 2 7S Dl Available in Tape & Reel3 6l Dynamic dv/dt RatingS Dl Fast Switching45G Dl Lead-FreeRDS(on) = 0.02l Halogen-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize

 7.1. Size:269K  1
irf7416qpbf.pdfpdf_icon

IRF7416GPBF

PD - 96124IRF7416QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyA1 8l Ultra Low On-ResistanceS Dl P Channel MOSFETVDSS = -30V2 7S Dl Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS Dl 150C Operating Temperature45G DRDS(on) = 0.02l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applications,

 7.2. Size:228K  international rectifier
irf7416pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7416GPBF

IRF7416PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VA1 8S DRDS(on) max 0.020 2 7(@V = -10V) S DGSQg (typical) 61 nC3 6S DID 4 5-10 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

 7.3. Size:244K  international rectifier
auirf7416q.pdfpdf_icon

IRF7416GPBF

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7416QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process Technology A1 8S DV(BR)DSS-30Vl Low On-Resistance2 7S Dl Logic Level Gate Drive3 6S D RDS(on) max.0.02l P-Channel MOSFET4 5G Dl Dynamic dV/dT RatingID-10ATop Viewl 150C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free, RoHS Compliantl Autom

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM2225NSQG | TF2301 | FDC6308P | SI7120ADN | IRFN440 | NCEP068N10G | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.