Справочник MOSFET. IRF7421D1PBF

 

IRF7421D1PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7421D1PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7421D1PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7421D1PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  international rectifier
irf7421d1pbf.pdfpdf_icon

IRF7421D1PBF

PD- 95304IRF7421D1PbFFETKY MOSFET / Schottky Diodel Co-packaged HEXFET PowerAA1 8MOSFET and Schottky Diode A DVDSS = 30Vl Ideal For Synchronous Regulator 2 7S DApplications3 6S DRDS(on) = 0.035l Generation V Technology4 5G Dl SO-8 FootprintSchottky Vf = 0.39Vl Lead-FreeTop View DescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky

 5.1. Size:178K  international rectifier
irf7421d1.pdfpdf_icon

IRF7421D1PBF

PD- 91411CIRF7421D1PRELIMINARY FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET PowerAA1 8MOSFET and Schottky Diode A DVDSS = 30V Ideal For Synchronous Regulator 2 7S DApplications3 6S DRDS(on) = 0.035 Generation V Technology45G D SO-8 FootprintSchottky Vf = 0.39VTop View DescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEX

 8.1. Size:122K  international rectifier
irf7424pbf.pdfpdf_icon

IRF7421D1PBF

PD- 95343IRF7424PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11Al Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremely low on-resista

 8.2. Size:192K  international rectifier
irf7425pbf.pdfpdf_icon

IRF7421D1PBF

IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8RDS(on) max S D8.2(@V = -4.5V) 2 7GSS DmRDS(on) max 3 613S D(@V = -2.5V)GS4 5Qg (typical) 87 nC G DID -15 ASO-8Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Co

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FCA47N60F | FMI16N60ES

 

 
Back to Top

 


 
.