Справочник MOSFET. IRF7424PBF

 

IRF7424PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7424PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF7424PBF

 

 

IRF7424PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  international rectifier
 irf7424pbf.pdf

IRF7424PBF IRF7424PBF

PD- 95343IRF7424PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11Al Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremely low on-resista

 ..2. Size:122K  infineon
 irf7424pbf.pdf

IRF7424PBF IRF7424PBF

PD- 95343IRF7424PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11Al Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremely low on-resista

 7.1. Size:229K  international rectifier
 irf7424.pdf

IRF7424PBF IRF7424PBF

PD- 94024AIRF7424HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11A Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8A Available in Tape & ReelA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremely low on-

 7.2. Size:199K  international rectifier
 irf7424gpbf.pdf

IRF7424PBF IRF7424PBF

PD-96256IRF7424GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11Al Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8Al Available in Tape & Reell Lead-Freel Halogen-FreeA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremel

 7.3. Size:873K  cn vbsemi
 irf7424trpbf.pdf

IRF7424PBF IRF7424PBF

IRF7424TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF7433

 

 
Back to Top