IRF7456PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7456PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7456PBF-1
IRF7456PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7456pbf-1.pdf
SMPS MOSFETIRF7456PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 VAARDS(on) max 1 8S D0.0065 (@V = 10V)GS2 7S DQg (typical) 41 nC3 6S DID 16 A4 5G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl High Frequency DC-DC Converters with Synchronous RectificationFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Exi
irf7456pbf.pdf
PD - 95249AIRF7456PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High Frequency DC-DC Converters 20V 0.0065 16Awith Synchronous Rectificationl Lead-FreeBenefitsAAl Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS1 8S Dl Low Charge and Low Gate Impedance to2 7S DReduce Switching Losses3 6S Dl Fully Characterized Avalanche Voltage45and Curren
irf7456pbf.pdf
PD - 95249AIRF7456PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High Frequency DC-DC Converters 20V 0.0065 16Awith Synchronous Rectificationl Lead-FreeBenefitsAAl Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS1 8S Dl Low Charge and Low Gate Impedance to2 7S DReduce Switching Losses3 6S Dl Fully Characterized Avalanche Voltage45and Curren
irf7456.pdf
PD- 93840BIRF7456SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High Frequency DC-DC Converters 20V 0.0065 16Awith Synchronous RectificationBenefitsAA Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS 1 8S D Low Charge and Low Gate Impedance to2 7S DReduce Switching Losses3 6S D Fully Characterized Avalanche Voltage45and Current G DSO-8Top View
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
