IRF7473PBF-1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7473PBF-1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для IRF7473PBF-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7473PBF-1 даташит

 ..1. Size:193K  international rectifier
 irf7473pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7473PBF-1

IRF7473PbF-1 HEXFET Power MOSFET A VDS 100 V A 1 8 S D RDS(on) max 26 m 2 7 (@V = 10V) S D GS Qg (typical) 61 nC 3 6 S D ID 4 5 6.9 A G D (@T = 25 C) A SO-8 Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

 4.1. Size:126K  international rectifier
 irf7473pbf.pdf pdf_icon

IRF7473PBF-1

PD- 95559 IRF7473PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Telecom and Data-Com 24 and 48V VDSS RDS(on) max ID input DC-DC converters l Motor Control 100V 26mW@VGS = 10V 6.9A l Uninterrutible Power Supply l Lead-Free Benefits l Ultra Low On-Resistance A A 1 8 l High Speed Switching S D l Low Gate Drive Current Due to Improved 2 7 S D Gate Charge Characteristic 3 6 S D l Imp

 7.1. Size:196K  international rectifier
 irf7473.pdf pdf_icon

IRF7473PBF-1

PD- 94037A IRF7473 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Telecom and Data-Com 24 and 48V input DC-DC converters 100V 26m @VGS = 10V 6.9A Motor Control Uninterrutible Power Supply Benefits Ultra Low On-Resistance A A High Speed Switching 1 8 S D Low Gate Drive Current Due to Improved 2 7 S D Gate Charge Characteristic 3 6 S D Im

 7.2. Size:1772K  cn vbsemi
 irf7473tr.pdf pdf_icon

IRF7473PBF-1

IRF7473TR www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 23 nC 0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS SO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7467PBF, IRF7468PBF, IRF7469PBF, IRF7469PBF-1, IRF7470PBF, IRF7471PBF, IRF7471, IRF7473PBF, IRF1405, IRF7475PBF, IRF7476PBF, IRF7477, IRF7477PBF, IRF7478PBF, IRF7478PBF-1, IRF7478QPBF, IRF7480M