Справочник MOSFET. SIHF720L

 

SIHF720L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF720L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF720L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  vishay
 irf720lpbf sihf720l.pdf pdf_icon

SIHF720L

IRF720S, SiHF720S, IRF720L, SiHF720Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mount Available in tape and reel VDS (V) 400 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8Available Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 20 Fast switchingQgs (nC) 3.3 Ease of parallelingAvailable Simple drive requirementsQ

 7.1. Size:201K  vishay
 irf720 sihf720.pdf pdf_icon

SIHF720L

IRF720, SiHF720Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 VAvailable Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 20COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 11 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 7.2. Size:199K  vishay
 irf720spbf sihf720s.pdf pdf_icon

SIHF720L

IRF720S, SiHF720SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 20 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.3 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Sing

 7.3. Size:201K  vishay
 irf720pbf sihf720.pdf pdf_icon

SIHF720L

IRF720, SiHF720Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 VAvailable Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 20COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 11 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDP20N40 | AP2306CGN-HF | FDMC3612 | SPD3N80G | ZVP4525Z | RU82100R | IXTR32P60P

 

 
Back to Top

 


 
.