Справочник MOSFET. SIHF730

 

SIHF730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHF730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  vishay
 sihf730.pdf pdf_icon

SIHF730

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

 ..2. Size:196K  vishay
 irf730 sihf730.pdf pdf_icon

SIHF730

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

 ..3. Size:146K  infineon
 irf730 sihf730.pdf pdf_icon

SIHF730

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

 0.1. Size:206K  vishay
 irf730apbf sihf730a.pdf pdf_icon

SIHF730

IRF730A, SiHF730AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple DriveVDS (V) 400AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 22 RuggednessQgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 9.3 Effecti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF644S , SIHF6N40D , SIHF6N65E , SIHF710 , SIHF710S , SIHF720 , SIHF720L , SIHF720S , AON7506 , SIHF730A , SIHF730AL , SIHF730AS , SIHF730S , SIHF740 , SIHF740A , SIHF740AL , SIHF740AS .

History: 2N65L-TF2-T | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | SSM4K27CT | RJK0601DPN-E0 | AM90N08-04B

 

 
Back to Top

 


 
.