SIHF730AL - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHF730AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHF730AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для SIHF730AL

SIHF730AL Datasheet (PDF)

..1. Size:199K vishay
irf730alpbf irf730aspbf sihf730al sihf730as.pdf

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 22 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 5.8RuggednessQgd (nC) 9.3 Fully Characteriz

6.1. Size:206K vishay
irf730apbf sihf730a.pdf

IRF730A, SiHF730AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple DriveVDS (V) 400AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 22 RuggednessQgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 9.3 Effecti

6.2. Size:206K vishay
irf730a sihf730a.pdf

7.1. Size:165K vishay
irf730s sihf730s.pdf

IRF730S, SiHF730SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

7.2. Size:197K vishay
sihf730.pdf

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

7.3. Size:191K vishay
irf730spbf sihf730s.pdf