SIHF740AS datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF740AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF740AS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF740AS даташит
irf740as sihf740as irf740al sihf740al.pdf
IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 400 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 36 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 9.9 Ruggedness Qgd (nC) 16 Fully Characterized Capac
sihf740al sihf740as.pdf
IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 400 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 36 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 9.9 Ruggedness Qgd (nC) 16 Fully Characterized Capac
irf740a sihf740a.pdf
IRF740A, SiHF740A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 400 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 36 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 16 and Current Configur
irf740apbf sihf740a.pdf
IRF740A, SiHF740A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 400 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 36 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 16 and Current Configur
Другие IGBT... SIHF730, SIHF730A, SIHF730AL, SIHF730AS, SIHF730S, SIHF740, SIHF740A, SIHF740AL, TK10A60D, SIHF740LC, SIHF740S, SIHF7N60E, SIHF820, SIHF820A, SIHF820AL, SIHF820AS, SIHF820L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet










