SIHF820A - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHF820A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHF820A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHF820A

SIHF820A Datasheet (PDF)

..1. Size:205K vishay
sihf820a.pdf

IRF820A, SiHF820AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 RuggednessQgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand currentQgd (nC) 8.5 Effecti

..2. Size:204K vishay
irf820a sihf820a.pdf

0.1. Size:204K vishay
irf820aspbf sihf820al sihf820as.pdf

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 3.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 17 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 4.3RuggednessQgd (nC) 8.5 Fully Characterize

7.1. Size:200K vishay
irf820 sihf820.pdf

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR

7.2. Size:200K vishay
irf820spbf sihf820s.pdf

IRF820S, SiHF820SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 500 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 24 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 13 Ease of Paralleling Simple Drive Re

7.3. Size:174K vishay
irf820l irf820lpbf sihf820l.pdf

IRF820S, SiHF820S, IRF820L, SiHF820Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 500 Available in tape and reel RDS(on) ()VGS = 10 V 3.0Available Dynamic dV/dt ratingQg (Max.) (nC) 24 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 3.3Available Fast switchingQgd (nC) 13 Ease of parallelingConfiguration Singl

7.4. Size:201K vishay
irf820pbf sihf820.pdf