Справочник MOSFET. SIHF820AS

 

SIHF820AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF820AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHF820AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF820AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
irf820aspbf sihf820al sihf820as.pdfpdf_icon

SIHF820AS

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 3.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 17 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 4.3RuggednessQgd (nC) 8.5 Fully Characterize

 6.1. Size:205K  vishay
sihf820a.pdfpdf_icon

SIHF820AS

IRF820A, SiHF820AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 RuggednessQgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand currentQgd (nC) 8.5 Effecti

 6.2. Size:204K  vishay
irf820a sihf820a.pdfpdf_icon

SIHF820AS

IRF820A, SiHF820AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 RuggednessQgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand currentQgd (nC) 8.5 Effecti

 7.1. Size:200K  vishay
irf820 sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820AS

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR

Другие MOSFET... SIHF740AL , SIHF740AS , SIHF740LC , SIHF740S , SIHF7N60E , SIHF820 , SIHF820A , SIHF820AL , STP80NF70 , SIHF820L , SIHF820S , SIHF830 , SIHF830A , SIHF830AL , SIHF830AS , SIHF830L , SIHF830S .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 7409B | HGN080N10SL | 2SK2574 | SSM3K116TU

 

 
Back to Top

 


 
.