SIHF820S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF820S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF820S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF820S даташит
irf820spbf sihf820s.pdf
IRF820S, SiHF820S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 500 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 24 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 13 Ease of Paralleling Simple Drive Re
irf820 sihf820.pdf
IRF820, SiHF820 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.3 Qgd (nC) 13 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCR
sihf820a.pdf
IRF820A, SiHF820A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 17 Ruggedness Qgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and current Qgd (nC) 8.5 Effecti
irf820l irf820lpbf sihf820l.pdf
IRF820S, SiHF820S, IRF820L, SiHF820L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 500 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Available Dynamic dV/dt rating Qg (Max.) (nC) 24 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 3.3 Available Fast switching Qgd (nC) 13 Ease of paralleling Configuration Singl
Другие IGBT... SIHF740LC, SIHF740S, SIHF7N60E, SIHF820, SIHF820A, SIHF820AL, SIHF820AS, SIHF820L, RFP50N06, SIHF830, SIHF830A, SIHF830AL, SIHF830AS, SIHF830L, SIHF830S, SIHF840, SIHF840A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n








