SIHF9Z14
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHF9Z14
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 6.7
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 12
nC
trⓘ -
Время нарастания: 63
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5
Ohm
Тип корпуса:
TO-220AB
Аналог (замена) для SIHF9Z14
SIHF9Z14
Datasheet (PDF)
..1. Size:127K vishay
irf9z14 sihf9z14.pdf 
IRF9Z14, SiHF9Z14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requir
..2. Size:129K vishay
irf9z14pbf sihf9z14.pdf 
IRF9Z14, SiHF9Z14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requir
0.1. Size:194K vishay
irf9z14spbf sihf9z14l sihf9z14s.pdf 
IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8
0.2. Size:169K vishay
irf9z14s sihf9z14s irf9z14l sihf9z14l.pdf 
IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8
7.1. Size:132K vishay
irf9z10 sihf9z10.pdf 
IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi
7.2. Size:133K vishay
sihf9z10.pdf 
IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
