SIHF9Z14L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF9Z14L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для SIHF9Z14L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF9Z14L даташит
irf9z14spbf sihf9z14l sihf9z14s.pdf
IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S) Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8
irf9z14s sihf9z14s irf9z14l sihf9z14l.pdf
IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S) Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8
irf9z14 sihf9z14.pdf
IRF9Z14, SiHF9Z14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requir
irf9z14pbf sihf9z14.pdf
IRF9Z14, SiHF9Z14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requir
Другие IGBT... SIHF9620S, SIHF9630, SIHF9630S, SIHF9640, SIHF9640L, SIHF9640S, SIHF9Z10, SIHF9Z14, IRF740, SIHF9Z14S, SIHF9Z20, SIHF9Z22, SIHF9Z24, SIHF9Z24L, SIHF9Z24S, SIHF9Z30, SIHF9Z34
History: NCEP40P60K | NCEP40PT15G | GSM1306
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710






