Справочник MOSFET. SIHF9Z20

 

SIHF9Z20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF9Z20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHF9Z20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF9Z20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf pdf_icon

SIHF9Z20

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 ..2. Size:1213K  vishay
 irf9z20 sihf9z20.pdf pdf_icon

SIHF9Z20

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 7.1. Size:196K  vishay
 irf9z24 sihf9z24.pdf pdf_icon

SIHF9Z20

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

 7.2. Size:197K  vishay
 irf9z24pbf sihf9z24.pdf pdf_icon

SIHF9Z20

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF9630S , SIHF9640 , SIHF9640L , SIHF9640S , SIHF9Z10 , SIHF9Z14 , SIHF9Z14L , SIHF9Z14S , 20N60 , SIHF9Z22 , SIHF9Z24 , SIHF9Z24L , SIHF9Z24S , SIHF9Z30 , SIHF9Z34 , SIHF9Z34L , SIHF9Z34S .

History: 2SK890 | OSG70R350PF | NCEP6090GU | UTT4815 | FQU8N25TU | IPB054N08N3G | SIA447DJ

 

 
Back to Top

 


 
.