Справочник MOSFET. SIHFBC30AL

 

SIHFBC30AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFBC30AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SIHFBC30AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBC30AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  vishay
 irfbc30as sihfbc30as irfbc30al sihfbc30al.pdf pdf_icon

SIHFBC30AL

IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 23RequirementQgs (nC) 5.4 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterized Ca

 ..2. Size:285K  vishay
 sihfbc30al sihfbc30as.pdf pdf_icon

SIHFBC30AL

IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 23RequirementQgs (nC) 5.4 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterized Ca

 5.1. Size:216K  vishay
 irfbc30apbf sihfbc30a.pdf pdf_icon

SIHFBC30AL

IRFBC30A, SiHFBC30AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 23COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 5.4 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 11and CurrentConfigur

 5.2. Size:215K  vishay
 irfbc30a sihfbc30a.pdf pdf_icon

SIHFBC30AL

IRFBC30A, SiHFBC30AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 23COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 5.4 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 11and CurrentConfigur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFB17N50L , SIHFB9N60A , SIHFB9N65A , SIHFBC20 , SIHFBC20L , SIHFBC20S , SIHFBC30 , SIHFBC30A , IRF9540 , SIHFBC30AS , SIHFBC30L , SIHFBC30S , SIHFBC40 , SIHFBC40A , SIHFBC40AS , SIHFBC40L , SIHFBC40LC .

History: HM3307 | IRF7862PBF | SVF14N65CFJ | SUD19P06-60 | VBZL45N03 | NCE65NF036T4 | VS3618AH

 

 
Back to Top

 


 
.