SIHFBF30S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFBF30S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHFBF30S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBF30S даташит

 ..1. Size:264K  vishay
sihfbf30s.pdfpdf_icon

SIHFBF30S

IRFBF30S, SiHFBF30S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 900 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 10 Fast Switching Qgd (nC) 42 Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to R

 6.1. Size:1073K  vishay
irfbf30pbf sihfbf30.pdfpdf_icon

SIHFBF30S

IRFBF30, SiHFBF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

 6.2. Size:1070K  vishay
irfbf30 sihfbf30.pdfpdf_icon

SIHFBF30S

IRFBF30, SiHFBF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

 8.1. Size:1055K  vishay
irfbf20pbf sihfbf20.pdfpdf_icon

SIHFBF30S

IRFBF20, SiHFBF20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitve Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 8.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 4.7 Qgd (nC) 21 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

Другие IGBT... SIHFBE20, SIHFBE30, SIHFBE30L, SIHFBE30S, SIHFBF20, SIHFBF20L, SIHFBF20S, SIHFBF30, SPP20N60C3, SIHFBG20, SIHFBG30, SIHFD014, SIHFD020, SIHFD024, SIHFD110, SIHFD113, SIHFD120