Справочник MOSFET. SIHFD024

 

SIHFD024 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFD024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHFD024

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFD024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  vishay
 irfd024pbf sihfd024.pdf pdf_icon

SIHFD024

IRFD024, SiHFD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 25COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen

 ..2. Size:1268K  vishay
 irfd024 sihfd024.pdf pdf_icon

SIHFD024

IRFD024, SiHFD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 25COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen

 7.1. Size:242K  vishay
 irfd020 sihfd020.pdf pdf_icon

SIHFD024

IRFD020, SiHFD020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 50Available Compact, End StackableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.1 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 7.1Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 7.2. Size:218K  vishay
 irfd020 irfd020pbf sihfd020.pdf pdf_icon

SIHFD024

IRFD020, SiHFD020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 50Available Compact, End StackableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.1 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 7.1Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBF20L , SIHFBF20S , SIHFBF30 , SIHFBF30S , SIHFBG20 , SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , 4N60 , SIHFD110 , SIHFD113 , SIHFD120 , SIHFD210 , SIHFD214 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 .

History: HY0910U | HGP115N15S | BSO330N02KG | 2SK3887-01 | FQI3P50TU | STD40NF10 | AP20N15AGH

 

 
Back to Top

 


 
.