SIHFD9014 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFD9014
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: HVMDIP
Аналог (замена) для SIHFD9014
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFD9014 даташит
irfd9014pbf sihfd9014.pdf
IRFD9014, SiHFD9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.8 P-Channel Qgd (nC) 5.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin
irfd9014 sihfd9014.pdf
IRFD9014, SiHFD9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.8 P-Channel Qgd (nC) 5.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin
irfd9010pbf sihfd9010.pdf
IRFD9010, SiHFD9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast Switching RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Low Drive Current Qg (Max.) (nC) 11 Easy Paralleled Qgs (nC) 3.8 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E
sihfd9010 irfd9010.pdf
IRFD9010, SiHFD9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast Switching RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Low Drive Current Qg (Max.) (nC) 11 Easy Paralleled Qgs (nC) 3.8 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E
Другие IGBT... SIHFD210, SIHFD214, SIHFD220, SIHFD224, SIHFD310, SIHFD320, SIHFD420, SIHFD9010, AO4407, SIHFD9024, SIHFD9110, SIHFD9120, SIHFD9210, SIHFD9220, SIHFDC20, SIHFI510G, SIHFI520G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866






