Справочник MOSFET. SIHFI520G

 

SIHFI520G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI520G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI520G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1603K  vishay
 irfi520g irfi520gpbf sihfi520g.pdf pdf_icon

SIHFI520G

IRFI520G, SiHFI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.27f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.7 Low Th

 ..2. Size:1601K  vishay
 irfi520g sihfi520g.pdf pdf_icon

SIHFI520G

IRFI520G, SiHFI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.27f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.7 Low Th

 8.1. Size:1038K  vishay
 irfi510g irfi510gpbf sihfi510g.pdf pdf_icon

SIHFI520G

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

 8.2. Size:1473K  vishay
 irfi540g sihfi540g.pdf pdf_icon

SIHFI520G

IRFI540G, SiHFI540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.077 f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 72COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 32 Low T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NVMFS4C05N | WMB090DN04LG2 | DMG2301LK | IXTA220N04T2-7 | PSMN6R5-25YLC | SSF3960J7-HF | BUZ84

 

 
Back to Top

 


 
.