Справочник MOSFET. SIHFI644G

 

SIHFI644G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI644G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI644G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI644G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf pdf_icon

SIHFI644G

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 ..2. Size:1399K  vishay
 sihfi644g.pdf pdf_icon

SIHFI644G

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 7.1. Size:1801K  vishay
 sihfi640g.pdf pdf_icon

SIHFI644G

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

 7.2. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf pdf_icon

SIHFI644G

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFI520G , SIHFI530G , SIHFI540G , SIHFI614G , SIHFI620G , SIHFI630G , SIHFI634G , SIHFI640G , AON6380 , SIHFI720G , SIHFI730G , SIHFI740G , SIHFI740GLC , SIHFI820G , SIHFI830G , SIHFI840G , SIHFI840GLC .

History: TSM7N90CI | AO6602G | 2SK3199 | FQPF6N15 | TK28N65W | DMTH6004SK3

 

 
Back to Top

 


 
.