Справочник MOSFET. SIHFI740G

 

SIHFI740G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI740G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI740G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI740G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1583K  vishay
 irfi740g sihfi740g.pdf pdf_icon

SIHFI740G

IRFI740G, SiHFI740GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 66COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 33 Low Thermal ResistanceConfiguration Sin

 ..2. Size:1600K  vishay
 sihfi740g.pdf pdf_icon

SIHFI740G

IRFI740G, SiHFI740GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 66 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 33 Low Thermal ResistanceConfiguration Singl

 0.1. Size:1296K  vishay
 irfi740glc sihfi740glc.pdf pdf_icon

SIHFI740G

IRFI740GLC, SiHFI740GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Isolated PackageQg (Max.) (nC) 39COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 10f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead C

 0.2. Size:1297K  vishay
 sihfi740glc.pdf pdf_icon

SIHFI740G

IRFI740GLC, SiHFI740GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Isolated PackageQg (Max.) (nC) 39COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 10f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFI614G , SIHFI620G , SIHFI630G , SIHFI634G , SIHFI640G , SIHFI644G , SIHFI720G , SIHFI730G , AO3401 , SIHFI740GLC , SIHFI820G , SIHFI830G , SIHFI840G , SIHFI840GLC , SIHFI9520G , SIHFI9530G , SIHFI9540G .

History: VBFB1311 | SFS15R065PNF | AM4929P-T1 | FTK4004 | VS3605ABT | CS6N70FB9D | HAT2168N

 

 
Back to Top

 


 
.