Справочник MOSFET. SIHFI840G

 

SIHFI840G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI840G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI840G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2786K  vishay
 sihfi840g.pdf pdf_icon

SIHFI840G

IRFI840G, SiHFI840GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 67 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 34 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 ..2. Size:2785K  vishay
 irfi840g sihfi840g.pdf pdf_icon

SIHFI840G

IRFI840G, SiHFI840GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 67 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 34 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 0.1. Size:1651K  vishay
 irfi840glcpbf sihfi840glc.pdf pdf_icon

SIHFI840G

IRFI840GLC, SiHFI840GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Isolated PackageQgs (nC) 10 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead Cr

 0.2. Size:1649K  vishay
 irfi840glc sihfi840glc.pdf pdf_icon

SIHFI840G

IRFI840GLC, SiHFI840GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Isolated PackageQgs (nC) 10 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead Cr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: P0806AT | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.