SIHFI9610G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFI9610G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHFI9610G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9610G даташит

 ..1. Size:814K  vishay
 irfi9610g sihfi9610g.pdf pdf_icon

SIHFI9610G

IRFI9610G, SiHFI9610G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 13 P-Channel Qgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

 ..2. Size:790K  vishay
 irfi9610g-pbf sihfi9610g.pdf pdf_icon

SIHFI9610G

IRFI9610G, SiHFI9610G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 13 P-Channel Qgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

 7.1. Size:1655K  vishay
 irfi9640gpbf sihfi9640g.pdf pdf_icon

SIHFI9610G

IRFI9640G, SiHFI9640G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 44 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 27 Low Thermal Resist

 7.2. Size:832K  vishay
 irfi9634gpbf sihfi9634g.pdf pdf_icon

SIHFI9610G

IRFI9634G, SiHFI9634G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) - 250 Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating Temperature Qg (Max.) (nC) 38 Fast Switching Qgs (nC) 8.0 P-Channel Qgd (nC) 18 Fully Avalanche Rated Configuration Single Lead (Pb)-free Available S DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFI740GLC, SIHFI820G, SIHFI830G, SIHFI840G, SIHFI840GLC, SIHFI9520G, SIHFI9530G, SIHFI9540G, IRF830, SIHFI9620G, SIHFI9630G, SIHFI9634G, SIHFI9640G, SIHFI9Z14G, SIHFI9Z24G, SIHFI9Z34G, SIHFIB5N65A