Справочник MOSFET. SIHFI9640G

 

SIHFI9640G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI9640G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI9640G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9640G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1655K  vishay
 irfi9640gpbf sihfi9640g.pdf pdf_icon

SIHFI9640G

IRFI9640G, SiHFI9640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 44COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 27 Low Thermal Resist

 ..2. Size:1653K  vishay
 irfi9640g sihfi9640g.pdf pdf_icon

SIHFI9640G

IRFI9640G, SiHFI9640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 44COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 27 Low Thermal Resist

 7.1. Size:814K  vishay
 irfi9610g sihfi9610g.pdf pdf_icon

SIHFI9640G

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

 7.2. Size:832K  vishay
 irfi9634gpbf sihfi9634g.pdf pdf_icon

SIHFI9640G

IRFI9634G, SiHFI9634GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) - 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating TemperatureQg (Max.) (nC) 38 Fast SwitchingQgs (nC) 8.0 P-ChannelQgd (nC) 18 Fully Avalanche RatedConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableSDESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFI840GLC , SIHFI9520G , SIHFI9530G , SIHFI9540G , SIHFI9610G , SIHFI9620G , SIHFI9630G , SIHFI9634G , EMB04N03H , SIHFI9Z14G , SIHFI9Z24G , SIHFI9Z34G , SIHFIB5N65A , SIHFIB6N60A , SIHFIB7N50A , SIHFIBC20G , SIHFIBC30G .

History: UF460G-T47-T

 

 
Back to Top

 


 
.