SIHFI9Z14G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFI9Z14G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHFI9Z14G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9Z14G даташит

 ..1. Size:1578K  vishay
 irfi9z14g sihfi9z14g.pdf pdf_icon

SIHFI9Z14G

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV

 ..2. Size:1580K  vishay
 irfi9z14g-pbf sihfi9z14g.pdf pdf_icon

SIHFI9Z14G

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV

 7.1. Size:1485K  vishay
 irfi9z24g-pbf sihfi9z24g.pdf pdf_icon

SIHFI9Z14G

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 P-Channel Qgs (nC) 5.4 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt

 7.2. Size:1483K  vishay
 irfi9z24g sihfi9z24g.pdf pdf_icon

SIHFI9Z14G

IRFI9Z24G, SiHFI9Z24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 P-Channel Qgs (nC) 5.4 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFI9520G, SIHFI9530G, SIHFI9540G, SIHFI9610G, SIHFI9620G, SIHFI9630G, SIHFI9634G, SIHFI9640G, K2611, SIHFI9Z24G, SIHFI9Z34G, SIHFIB5N65A, SIHFIB6N60A, SIHFIB7N50A, SIHFIBC20G, SIHFIBC30G, SIHFIBC40G