SIHFIZ44G datasheet, аналоги, параметры транзистора

SIHFIZ44G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFIZ44G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHFIZ44G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIHFIZ44G даташит

..1. Size:1392K vishay
sihfiz44g.pdf pdf_icon

IRFIZ44G, SiHFIZ44G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.028 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 95 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 27 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 46 Dynamic dV/dt Rating Configurat

..2. Size:1390K vishay
irfiz44g sihfiz44g.pdf pdf_icon

7.1. Size:1442K vishay
irfiz48g sihfiz48g.pdf pdf_icon

IRFIZ48G, SiHFIZ48G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 110 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 29 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 36 Dynamic dV/dt Rating Configura

7.2. Size:1443K vishay
sihfiz48g.pdf pdf_icon