SIHFP048 - аналоги и даташиты транзистора

 

SIHFP048 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHFP048
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для SIHFP048

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP048 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1574K  vishay
 irfp048 sihfp048.pdf pdf_icon

SIHFP048

IRFP048, SiHFP048Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfi

 ..2. Size:944K  vishay
 irfp048pbf sihfp048.pdf pdf_icon

SIHFP048

IRFP048, SiHFP048Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConf

 0.1. Size:1917K  vishay
 sihfp048r.pdf pdf_icon

SIHFP048

IRFP048R, SiHFP048RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECCon

 8.1. Size:1562K  vishay
 irfp054pbf sihfp054.pdf pdf_icon

SIHFP048

IRFP054, SiHFP054Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.014RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 160 Fast SwitchingQgs (nC) 48 Ease of ParallelingQgd (nC) 54 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFIZ44G , SIHFIZ48G , SIHFL014 , SIHFL110 , SIHFL210 , SIHFL214 , SIHFL9014 , SIHFL9110 , 10N60 , SIHFP048R , SIHFP054 , SIHFP064 , SIHFP140 , SIHFP150 , SIHFP17N50L , SIHFP21N60L , SIHFP22N50A .

History: SM1105NSUB | FCMT180N65S3 | 2SJ273 | VS3638GA | BLS6G2933P-200 | IPB025N08N3G | FCP600N65S3R0

 

 
Back to Top

 


 
.