IRF7755GPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7755GPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для IRF7755GPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7755GPBF даташит

 ..1. Size:234K  international rectifier
irf7755gpbf.pdfpdf_icon

IRF7755GPBF

PD- 96150A IRF7755GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l Dual P-Channel MOSFET -20V 51m @VGS = -4.5V -3.7A l Very Small SOIC Package 86m @VGS = -2.5V -2.8A l Low Profile (

 7.1. Size:249K  international rectifier
irf7755.pdfpdf_icon

IRF7755GPBF

PD -93995A IRF7755 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID Dual P-Channel MOSFET -20V 51m @VGS = -4.5V -3.7A Very Small SOIC Package 86m @VGS = -2.5V -2.8A Low Profile (

 8.1. Size:228K  1
irf7752g.pdfpdf_icon

IRF7755GPBF

PD- 96151A IRF7752GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual N-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package 30V 0.030@VGS = 10V 4.6A l Low Profile (

 8.2. Size:226K  1
irf7750g.pdfpdf_icon

IRF7755GPBF

PD-96144A IRF7750GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel MOSFET l Very Small SOIC Package VDSS = -20V l Low Profile (

Другие IGBT... IRF7739L1, IRF7739L2, IRF7748L1, IRF7749L1, IRF7749L2TR1PBF, IRF7749L2TRPBF, IRF7751GPBF, IRF7754GPBF, 5N65, IRF7756GPBF, IRF7759L2TR1PBF, IRF7759L2TRPBF, IRF7769L1, IRF7769L2TR1PBF, IRF7769L2TRPBF, IRF7779L2TR1PBF, IRF7779L2TRPBF