IRF7759L2TR1PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7759L2TR1PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1465 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для IRF7759L2TR1PBF
IRF7759L2TR1PBF Datasheet (PDF)
irf7759l2tr1pbf irf7759l2trpbf.pdf
PD - 96283IRF7759L2TRPbFIRF7759L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket75V min 20V max 1.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Cond
auirf7759l2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7759L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 75V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 1.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 2.3m High Power Density ID (Silicon Limited) 160A Low Parasitic Parameters Qg (typi
auirf7759l2.pdf
PD - 96426AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7759L2TRAUIRF7759L2TR1 Advanced Process TechnologyAutomotive DirectFET Power MOSFET Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andV(BR)DSS75Vother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low ProfileRDS(on) typ.1.8m High Power Densitymax. 2.3m Low Parasitic Parameters Dual Sided Cooling
irf7759l2pbf.pdf
IRF7759L2PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket75V min 20V max 1.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Losses200nC 62nC 3.0V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918