IRF7769L2TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7769L2TRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для IRF7769L2TRPBF
IRF7769L2TRPBF Datasheet (PDF)
irf7769l2tr1pbf irf7769l2trpbf.pdf
PD - 97413BIRF7769L2TRPbFIRF7769L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated ConverterVDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket100V min 20V max 2.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Co
auirf7769l2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg (typ
auirf7769l2.pdf
AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7769L2TRAutomotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS Advanced Process Technology 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.2.8mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power DensityID (Silicon Limited)124A Low Parasitic ParametersQg 200nC Dual Sid
irf7769l1.pdf
IRF7769L1TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated ConverterVDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket100V min 20V max 2.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Losses200nC 110
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918