Справочник MOSFET. IRF7805PBF-1

 

IRF7805PBF-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7805PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7805PBF-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7805PBF-1 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:330K  international rectifier
irf7805pbf.pdfpdf_icon

IRF7805PBF-1

IRF7805PbF HEXFET Chip-Set for DC-DC Converters N Channel Application Specific MOSFETs A A1 8S D Ideal for Mobile DC-DC Converters 2 7S D Low Conduction Losses 3 6S D Low Switching Losses 4 5G D Lead-Free SO-8 Top ViewIRF7805PbF Description Devices Features This new device employs advanced HEXFET Power IRF7805PbF MOSFET technology to

 7.1. Size:270K  international rectifier
irf7805z.pdfpdf_icon

IRF7805PBF-1

PD - 94635BIRF7805ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m:@VGS = 10V30V 18nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Curr

 7.2. Size:203K  international rectifier
auirf7805q.pdfpdf_icon

IRF7805PBF-1

PD 96367BAUIRF7805QFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceAAV(BR)DSS 30V1l Logic Level 8S Dl N Channel MOSFET2 7S DRDS(on) typ.9.2ml Surface Mount3 6S Dl Available in Tape & Reel4 5 max. 11ml 150C Operating Temperature G Dl Automotive [Q101] QualifiedTop View ID 13Al Lead-Free, RoHS CompliantD

 7.3. Size:232K  international rectifier
irf7805q.pdfpdf_icon

IRF7805PBF-1

PD 96114IRF7805QPbFl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel N Channel MOSFETl Surface MountA1 8l Available in Tape & Reel S Dl 150C Operating Temperature2 7S Dl Automotive [Q101] Qualified3 6S Dl Lead-Free4 5G DDescriptionSO-8Top ViewSpecifically designed for Automotive applications, theseHEXFET Power MOSFET's in package utilize

Другие MOSFET... IRF7769L1 , IRF7769L2TR1PBF , IRF7769L2TRPBF , IRF7779L2TR1PBF , IRF7779L2TRPBF , IRF7799L2TR1PBF , IRF7799L2TRPBF , IRF7805PBF , 18N50 , IRF7805QPBF , IRF7805ZGPBF , IRF7805ZPBF , IRF7805ZPBF-1 , IRF7807APBF , IRF7807D1PBF , IRF7807D2PBF , IRF7807PBF-1 .

History: DI9430T | CHT2301WGP | AM7304N | NCEP6060GU | DMP4047SSD | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.