IRF7805ZGPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7805ZGPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7805ZGPBF
IRF7805ZGPBF Datasheet (PDF)
irf7805zgpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 96253IRF7805ZGPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m @VGS = 10V30V 18nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.Al Lead-FreeA1 8S Dl Halogen-Free2 7S D3 6BenefitsS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5G Dl Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8Top Viewl
irf7805z.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 94635BIRF7805ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m:@VGS = 10V30V 18nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Curr
irf7805zpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 96011AIRF7805ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load6.8m @VGS = 10V30V 18nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.Al Lead-FreeA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Vol
irf7805z.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETIRF7805Z (KRF7805Z) FeaturesSOP-8 VDS (V) = 30V ID = 16 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6.8m (VGS = 10V)A HEXFET Power MOSFET A1 81.50 0.15S D2 7S D3 6S D4 5G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS20 TA
Другие MOSFET... IRF7769L2TRPBF , IRF7779L2TR1PBF , IRF7779L2TRPBF , IRF7799L2TR1PBF , IRF7799L2TRPBF , IRF7805PBF , IRF7805PBF-1 , IRF7805QPBF , NCES120R062T4 , IRF7805ZPBF , IRF7805ZPBF-1 , IRF7807APBF , IRF7807D1PBF , IRF7807D2PBF , IRF7807PBF-1 , IRF7807VD1PBF , IRF7807VD1PBF-1 .