IRF7832PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7832PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.32 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7832pbf-1.pdf
IRF7832PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 4.0 m2 7S D(@V = 10V)GS3 6Qg (typical) 34 nCS DID 4 5G D20 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Synchronous MOSFET for Notebook Processor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Packa
irf7832pbf.pdf
PD - 95016AIRF7832PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for NotebookProcessor Power4.0m @VGS = 10V30V 34nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S Dl Lead-Free2 7S DBenefits3 6S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS4 5G Dl Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Chara
irf7832pbf.pdf
PD - 95016AIRF7832PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for NotebookProcessor Power4.0m @VGS = 10V30V 34nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S Dl Lead-Free2 7S DBenefits3 6S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS4 5G Dl Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Chara
irf7832z.pdf
PD - 96975AIRF7832ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for Notebook3.8m @VGS = 10VProcessor Power 30V 30nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC ConvertersAA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentSO-8
irf7832.pdf
PD - 94594AIRF7832HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for NotebookProcessor Power4.0m @VGS = 10V30V 34nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking Systems AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Volt
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F