IRF7853PBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7853PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7853PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7853PBF даташит
irf7853pbf.pdf
PD - 97069 IRF7853PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated 18m @VGS = 10V 100V 8.3A DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC A Converters A 1 8 S D l Secondary Side Synchronous 2 7 Rectification Switch for 15Vout S D l Suitable
irf7855pbf.pdf
PD - 97173A IRF7855PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Isolated DC-DC Converters 9.4m @VGS = 10V 60V 12A l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC Converters l Secondary Side Synchronous A A Rectification Switch for 15Vout 1 8 S D l Suitable for 48V Non-Isolated 2 7 S D Synchron
irf7854pbf.pdf
PD - 97172 IRF7854PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge or two- VDSS RDS(on) max ID switch forward topologies using 48V 13.4m @VGS = 10V 80V 10A ( 10%) or 36V to 60V ETSI range inputs. l Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 12Vout A l Suitable for 48V Non-Isolated A 1 8 S D Synchronous Buck DC-DC Applications 2 7 S D 3 6 Bene
irf7855.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET IRF7855 (KRF7855) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.4m (VGS = 10V) A 1.50 0.15 A 1 8 S D 2 7 S D 1 Source 5 Drain 6 Drain 3 6 2 Source S D 7 Drain 3 Source 4 8 Drain 5 4 Gate G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate
Другие IGBT... IRF7822, IRF7828PBF, IRF7831PBF, IRF7832PBF, IRF7832PBF-1, IRF7832Z, IRF7834PBF, IRF7842PBF, 60N06, IRF7854PBF, IRF7855PBF, IRF7862PBF, IRF7902PBF, IRF7904PBF, IRF7904PBF-1, IRF7905PBF, IRF7907PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061




