IRF7854PBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7854PBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF7854PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7854PBF даташит
irf7854pbf.pdf
PD - 97172 IRF7854PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge or two- VDSS RDS(on) max ID switch forward topologies using 48V 13.4m @VGS = 10V 80V 10A ( 10%) or 36V to 60V ETSI range inputs. l Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 12Vout A l Suitable for 48V Non-Isolated A 1 8 S D Synchronous Buck DC-DC Applications 2 7 S D 3 6 Bene
irf7853pbf.pdf
PD - 97069 IRF7853PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated 18m @VGS = 10V 100V 8.3A DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC A Converters A 1 8 S D l Secondary Side Synchronous 2 7 Rectification Switch for 15Vout S D l Suitable
irf7855pbf.pdf
PD - 97173A IRF7855PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Isolated DC-DC Converters 9.4m @VGS = 10V 60V 12A l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC Converters l Secondary Side Synchronous A A Rectification Switch for 15Vout 1 8 S D l Suitable for 48V Non-Isolated 2 7 S D Synchron
irf7855.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET IRF7855 (KRF7855) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.4m (VGS = 10V) A 1.50 0.15 A 1 8 S D 2 7 S D 1 Source 5 Drain 6 Drain 3 6 2 Source S D 7 Drain 3 Source 4 8 Drain 5 4 Gate G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate
Другие IGBT... IRF7828PBF, IRF7831PBF, IRF7832PBF, IRF7832PBF-1, IRF7832Z, IRF7834PBF, IRF7842PBF, IRF7853PBF, AON6426, IRF7855PBF, IRF7862PBF, IRF7902PBF, IRF7904PBF, IRF7904PBF-1, IRF7905PBF, IRF7907PBF, IRF7907PBF-1
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SSW60R130S2 | SI7674DP | HM80N04 | DHFSJ5N65 | SSW60R140SFD | AGM065N10C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023




