IRF8113GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8113GPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 8.9 ns
Выходная емкость (Cd): 600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0056 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8113GPBF
IRF8113GPBF Datasheet (PDF)
irf8113gpbf.pdf
PD - 96251IRF8113GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8l Lead-Free S D2 7l Halogen-FreeS D3 6S DBenefits4 5G Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Charge SO-8Top
irf8113pbf.pdf
PD - 95138BIRF8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltag
irf8113.pdf
PD - 94637BIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S D3l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage
irf8113pbf-1.pdf
IRF8113PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 5.62 7S D(@V = 10V)GSm3 6RDS(on) max S D6.8(@V = 4.5V)GS 4 5G DQg (typical) 24 nCSO-8ID Top View17.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH
irf8113.pdf
PD - 94637AIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters in NetworkingAA1 8Systems S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
