Справочник MOSFET. IRF8113GPBF

 

IRF8113GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8113GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF8113GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8113GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  international rectifier
irf8113gpbf.pdfpdf_icon

IRF8113GPBF

PD - 96251IRF8113GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8l Lead-Free S D2 7l Halogen-FreeS D3 6S DBenefits4 5G Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Charge SO-8Top

 7.1. Size:218K  international rectifier
irf8113pbf.pdfpdf_icon

IRF8113GPBF

PD - 95138BIRF8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltag

 7.2. Size:207K  international rectifier
irf8113.pdfpdf_icon

IRF8113GPBF

PD - 94637AIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters in NetworkingAA1 8Systems S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

 7.3. Size:249K  international rectifier
irf8113pbf-1.pdfpdf_icon

IRF8113GPBF

IRF8113PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 5.62 7S D(@V = 10V)GSm3 6RDS(on) max S D6.8(@V = 4.5V)GS 4 5G DQg (typical) 24 nCSO-8ID Top View17.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH

Другие MOSFET... IRF7MS2907 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF7Y1405CM , IRF7YSZ44VCM , IRF8010PBF , IRF8010SPBF , P55NF06 , IRF8113PBF , IRF8113PBF-1 , IRF820ASPBF , IRF820B , IRF820L , IRF820LPBF , IRF820PBF , IRF820SPBF .

History: IRF634NSPBF | FDFS2P753AZ | SSM4924GM | TSM9N50CZ | MPSD70M710B | VBZE100N03 | PK615BMA

 

 
Back to Top

 


 
.