Справочник MOSFET. SIHFP23N50L

 

SIHFP23N50L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFP23N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP23N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  vishay
irfp23n50l sihfp23n50l.pdfpdf_icon

SIHFP23N50L

IRFP23N50L, SiHFP23N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS ApplicationsAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.190 Lower Gate Charge Results in Simpler DriveRoHS*Qg (Max.) (nC) 150COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 44 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 ..2. Size:192K  vishay
irfp23n50l irfp23n50lpbf sihfp23n50l.pdfpdf_icon

SIHFP23N50L

IRFP23N50L, SiHFP23N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS ApplicationsAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.190 Lower Gate Charge Results in Simpler DriveRoHS*Qg (Max.) (nC) 150COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 44 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 8.1. Size:179K  vishay
irfp27n60k sihfp27n60k.pdfpdf_icon

SIHFP23N50L

IRFP27N60K, SiHFP27N60KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 56 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 86and CurrentCo

 8.2. Size:1459K  vishay
sihfp250.pdfpdf_icon

SIHFP23N50L

IRFP250, SiHFP250Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.085 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 28 Ease of ParallelingQgd (nC) 74 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STC6332 | SQJQ402E | IRF830P | OSS60R099PF | IMZ120R220M1H | US6K1 | 640

 

 
Back to Top

 


 
.